طراحی مدارهای تمام جمع کننده کم توان در مد ولتاژ

thesis
  • وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر
  • author مریم ابراهیم پور
  • adviser کیوان ناوی
  • Number of pages: First 15 pages
  • publication year 1387
abstract

چکیده ندارد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

یک سلول XOR جدید دو ورودی مبتنی بر CNTFET با توان نشتی فوق العاده پایین برای تمام جمع کننده های ولتاژ پایین و توان پایین

گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...

full text

طراحی ضرب کننده ولتاژ پایین با توان مصرفی کم

چکیده ضرب کننده های آنالوگ یکی از بلوک های مهم در ساختار سیستم های پردازش سیگنال و همچنین سیستم های مخابراتی می باشند. از مهمترین کاربرد این مدارات می توان به مدولاتورها، چند برابر کننده های فرکانس، شبکه های عصبی، سیستم های اندازه گیری، فیلترهای تطبیقی، حلقه های قفل فاز و… اشاره نمود. تابع خروجی ضرب کننده ایده-آل بصورت ضرب دو سیگنال x و y می باشد. اولین ضرب کننده آنالوگ نیمه هادی توسط گیلبر...

15 صفحه اول

طراحی تمام جمع کننده حالتهای کوانتومی

کاربرد افزاره های فتونیکی درسیستمهای محاسباتی، از سه دهه پیش، شروع شده و دائماً در حال توسعه و پیشرفت هستند، اما اندازه قطعات فوتونیکی بر محدودیت شکست نور نمی توانند غلبه کنند. ازطرفی دیگر، نرخ انتقال داده ها تا سال 2015 به 10 ترابیت برثانیه خواهد رسید که افزارههای فتونیکی فعلی قادر به تأمین چنین نرخی نمی باشند. بدین منظور به افزاره های نانوفتونیکی نیاز هست تا بر مشکل محدودیت شکست نور غلبه کرده ...

15 صفحه اول

طراحی تقویت کننده کلاس-D ولتاژ بالا با بازخورد توان برای بارهای پیزوالکتریک

در این مقاله یک تقویت‌کنندۀ کلاس-D به منظور راه‌اندازی بارهای پیزوالکتریک با در نظر گرفتن ملاحظات طراحی شامل بازده، خطی بودن و تداخل الکترومغناطیسی ارائه شده است. تقویت کننده کلاس-D با الگوی کلیدزنی مدولاسیون پهنای باند بر پایۀ تغذیه-باتری طراحی شده است. تقویت‌کننده ارائه شده علاوه بر تأمین توان و ولتاژ سطح بالا، به منظور جداسازی و کاهش اعوجاج از یک مبدل مستقیم-به-مستقیم جدای حلقه بسته بهره می‌...

full text

طراحی مدارهای مبدل سطح ولتاژ با بازده توان بالا

چکیده در سال های اخیر تقاضا برای مدارهای توان پایین و کارایی بالا به صورت قابل توجهی افزایش پیدا کرده است. موثرترین روش در کاهش توان در مداراتvlsi کاهش ولتاژ تغذیه است ودلیل آن تناسب توان پویا با مجذور ولتاژ تغذیه می باشد. از آنجا که کاهش ولتاژ تغذیه باعث کاهش در سرعت مدار می شود، برای جلوگیری از کاهش سرعت، سیستم های با ولتاژ تغذیه ی چند گانه مطرح می شود. استفاده از این روش دارای مشکل هایی می ...

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023